Hệ đo điện trở bốn mũi dò

Mô tả

• Trở kháng vào 1.000.000.000.000 ohms
• Dải dòng không đổi 10nA đến 100mA với độ chính xác đảm bảo 0.3% trên toàn dải
• Từ -1000mV đến +1000mV DVM với độ chính xác đảm bảo 0.3% trên toàn dải
• Chế độ DVM độ phân giải cao từ -125mV đến +125mV với độ chính xác đảm bảo 0.1%
• Tốc độ lấy mẫu 8 đến 10 mẫu mỗi giây
• Điện áp tuân thủ 24V với giới hạn công suất tự động
• 16 bit DAC cho nguồn dòng
• 24 bit ADC cho DVM
• Bộ nhớ tích hợp: 50 phép đo
• Dòng điện: 10nA – 100mA, có thể đảo ngược để xác minh tiếp xúc và đo lường
• Độ chính xác: Tốt hơn 0,1% so với điện trở từ 100nA trở lên
• Kết nối: USB hoặc RS-232

Đế dò đa vị trí:

• Kích thước mẫu: wafer 150mm
• Độ dày mẫu tối đa: Có thể đo mẫu dày đến 4mm

Đầu dò bốn điểm:

• Dung sai: +/- 10 microns
• Đầu kim: Tungsten carbide đường kính 0,4mm (đường kính 0,3mm cho khoảng cách gần nhau)
• Thu vào pad: 0,5 mm
• Độ phẳng: +/- 0,025mm

Chúng tôi sẵn lòng trả lời các câu hỏi liên quan tới sản phẩm, dự án mà quý khách hàng đang có nhu cầu!